고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 완충층 누설전류 분석
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 황대원 | - |
dc.contributor.author | 하민우 | - |
dc.contributor.author | 노정현 | - |
dc.contributor.author | 박정호 | - |
dc.contributor.author | 한철구 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T18:12:50Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T18:12:50Z | - |
dc.date.created | 2021-06-17 | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/113908 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서 실리콘 기판 위에 성장된 GaN 에피탁시를 활용하여 고전압 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였으며, 금속-반도체 접합의 열처리 조건에 따른 GaN 완충층 (buffer layer) 누설전류와 제작된 다이오드의 전기적 특성 변화를 연구하였다. Ti/Al/Mo/Au 오믹 접합과 Ni/Au 쇼트키 접합이 제작된 소자에 설계 및 제작되었다. 메사를 관통하는 GaN 완충층의 누설전류를 측정하기 위하여 테스트 구조가 제안되었으며 제작하였다. 700°C에서 열처리한 경우 100 V 전압에서 측정된 완충층의누설전류는 87 nA이며, 이는 800°C에서 열처리한 경우의 완충층의 누설전류인 780 nA보다 적었다. GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 메커니즘을 분석하기 위해서 Auger 전자 분광학 (Auger electron spectroscopy) 측정을 통해 GaN 내부로 확산되는 Au, Ti, Mo, O 성분들이 완충층 누설전류 증가에 기여함을 확인했다. 금속-반도체 접합의 열처리를 통해 GaN 쇼트키장벽 다이오드의 누설전류를 성공적으로 감소시켰으며 높은 항복전압을 구현하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
dc.title | 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 완충층 누설전류 분석 | - |
dc.title.alternative | Analysis for Buffer Leakage Current of High-Voltage GaN Schottky Barrier Diode | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 박정호 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.48, no.2, pp.14 - 19 | - |
dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
dc.citation.volume | 48 | - |
dc.citation.number | 2 | - |
dc.citation.startPage | 14 | - |
dc.citation.endPage | 19 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001530061 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | GaN | - |
dc.subject.keywordAuthor | Schottky barrier diode | - |
dc.subject.keywordAuthor | Schottky | - |
dc.subject.keywordAuthor | ohmic | - |
dc.subject.keywordAuthor | leakage current | - |
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