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실리콘 나노리본을 이용한 유연한 패시브 매트릭스 소자 제작
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 신건철 | - |
| dc.contributor.author | 하정숙 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-07T20:57:40Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-07T20:57:40Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-16 | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.issn | 0304-128X | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114755 | - |
| dc.description.abstract | 대표적인 반도체 소재인 실리콘을 유연소자로 이용하기 위하여 매우 얇은 나노리본 형태로 제작하였다. p-타입과 n-타입 도핑 그리고 고유한 영역으로 구성된 실리콘 소자(p-i-n 접합소자)를 가로/세로 100라인씩 연결하여 총 10,000개의 어레이 소자를 구현하였고 그 크기는 대각선 1인치에 달했다. 이 패시브 매트릭스 소자는 p-n 접합 소자에 비해 교차 혼선에 의한 역전류가 적어 정류비가 10^4 이상의 값을 나타내었다. 완성된 소자는 불산 처리를 통해 기판으로부터쉽게 떼어낼 수 있으며, 각각 PDMS 와 유연한 PET 필름에 전이할 수 있었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국화학공학회 | - |
| dc.title | 실리콘 나노리본을 이용한 유연한 패시브 매트릭스 소자 제작 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication of Flexible Passive Matrix by Using Silicon Nano-ribbon | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 하정숙 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK), v.49, no.3, pp.338 - 341 | - |
| dc.relation.isPartOf | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) | - |
| dc.citation.title | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) | - |
| dc.citation.volume | 49 | - |
| dc.citation.number | 3 | - |
| dc.citation.startPage | 338 | - |
| dc.citation.endPage | 341 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001557716 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Silicon Nano-Ribbon | - |
| dc.subject.keywordAuthor | p-i-n Junction | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Flexible | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Passive Matrix | - |
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