차세대 자기저항메모리 MRAM 기술의 특허동향 분석
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 노수정 | - |
dc.contributor.author | 이지성 | - |
dc.contributor.author | 조지웅 | - |
dc.contributor.author | 김도균 | - |
dc.contributor.author | 유양미 | - |
dc.contributor.author | 하미영 | - |
dc.contributor.author | 서주원 | - |
dc.contributor.author | 김영근 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-08T22:58:41Z | - |
dc.date.available | 2021-09-08T22:58:41Z | - |
dc.date.issued | 2009 | - |
dc.identifier.issn | 1598-5385 | - |
dc.identifier.issn | 2233-6648 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/121418 | - |
dc.description.abstract | 차세대 메모리 소자 중 MRAM(Magnetic Random Access Memory)은 자기저항효과를 이용한 비휘발성 메모리로 기존 메모리를 대체할 것으로 주목을 받고 있다. MRAM은 자기터널 접합 소자를 이용해 구동할 수 있는데, 현재 고집적, 저 전력 소모 등의 장점을 극대화하기 위해 수직자화 특성을 갖는 자기터널 접합 개발과 스핀전달토크를 이용해 구동하는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-MRAM) 개발이 활발히 이루어지고 있다. 따라서 미국, 일본 등 MRAM 강국에서 고집적, 스위칭 전류 감소, 열적 안정성 등의 문제를 해결하기 위한 기술 특허 출원이 증가하고 있으며, 국내의 MRAM 연구기관에서의 특허 출원도 꾸준히 이루어지고 있다. 본고에서는 기존 국내외 특허 출원 및 등록 경향을 분석하고 향후 MRAM 개발방향을 제시하였다. | - |
dc.format.extent | 8 | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | KOR | - |
dc.publisher | 한국자기학회 | - |
dc.title | 차세대 자기저항메모리 MRAM 기술의 특허동향 분석 | - |
dc.title.alternative | Patent Analysis of MRAM Technology | - |
dc.type | Article | - |
dc.publisher.location | 대한민국 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 한국자기학회지, v.19, no.1, pp 35 - 42 | - |
dc.citation.title | 한국자기학회지 | - |
dc.citation.volume | 19 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.citation.startPage | 35 | - |
dc.citation.endPage | 42 | - |
dc.identifier.kciid | ART001323294 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | MRAM | - |
dc.subject.keywordAuthor | 자기터널접합 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 특허 동향 | - |
dc.subject.keywordAuthor | MRAM | - |
dc.subject.keywordAuthor | MTJs | - |
dc.subject.keywordAuthor | patent trend | - |
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