GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성

Abstract

Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/cm2, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/cm2, 발진 파장은 1320 nm이다.