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선형 질소 이온 주입 농도에 따른 사파이어 기판상 MOCVD를 이용한 GaN 수평성장
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | BYUN, Dong Jin | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-27T08:56:32Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-27T08:56:32Z | - |
| dc.date.created | 2021-04-22 | - |
| dc.date.issued | 2009-05-21 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/3201 | - |
| dc.publisher | 한국재료학회 | - |
| dc.title | 선형 질소 이온 주입 농도에 따른 사파이어 기판상 MOCVD를 이용한 GaN 수평성장 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | BYUN, Dong Jin | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 2009년도 한국재료학회 춘계학술발표대회 및 제16회 신소재 심포지엄 | - |
| dc.relation.isPartOf | 2009년도 한국재료학회 춘계학술발표대회 및 제16회 신소재 심포지엄 | - |
| dc.citation.title | 2009년도 한국재료학회 춘계학술발표대회 및 제16회 신소재 심포지엄 | - |
| dc.citation.conferencePlace | KO | - |
| dc.citation.conferenceDate | 2009-05-21 | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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