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MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성
- Alternative Title
- MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성
- Authors
- BYUN, Dong Jin
- Issue Date
- 27-5월-2006
- Publisher
- 한국재료학회
- Citation
- 2005년도 한국재료학회 춘계학술발표대회
- Conference Name
- 2005년도 한국재료학회 춘계학술발표대회
- Place
- KO
무주리조트
- Conference Date
- 2005-05-26
- Files in This Item
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