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이온 임플란트로 패턴된 사파이어에 SAG법을 이용한 GaN성장의 특성 분석
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | BYUN, Dong Jin | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-01T14:23:23Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-01T14:23:23Z | - |
| dc.date.created | 2021-04-22 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/65173 | - |
| dc.publisher | 사단법인 LED반도체 조명학회 | - |
| dc.title | 이온 임플란트로 패턴된 사파이어에 SAG법을 이용한 GaN성장의 특성 분석 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | BYUN, Dong Jin | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 2009 LED.반도체조명학회 가을 학술대회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 2009 LED.반도체조명학회 가을 학술대회 | - |
| dc.citation.title | 2009 LED.반도체조명학회 가을 학술대회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | KO | - |
| dc.citation.conferenceDate | 2009-10-15 | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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