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A Design of Noble Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Oblique Trench Gate for High Voltage Applications
Sung, Man Young
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CHICAGO
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VANCOUVER
IEEE
HARVARD
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제목
A Design of Noble Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Oblique Trench Gate for High Voltage Applications
저자
Sung, Man Young
학회명
한국반도체학술대회
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