Cr-SrTiO₃ 박막을 이용한 Si 기반 1D 형태 저항 변화 메모리의 전류-전압 특성 고찰

초록

본 논문에서는 기존의 RRAM 크로스바 어레이에서 발생하는 인접 셀 간의 간섭전류를 차단하기 위해 금속이 아닌 실리콘 기반의 저항변화 물질인 Cr-SrTiO₃ 를 증착함으로써 부가적인 정류소자가 필요없는 저항변화 메모리를 제작하였고, 이를 I-V 특성분석을 통해 확인하였다. 이를 바탕으로, 본 논문에서 제안한 MIS 구조의 내부 다이오드 특성을 가지는 저항변화 메모리를 크로스바 어레이에 적용함으로써 기존 MIM 구조에서 필수적이었던 외부 스위칭소자를 제거할 수 있는 가능성을 확인하였고, 이를 통해 RRAM의 집적도 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대된다.

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