ScholarWorks@고려대학교

상세 보기

배열된 Si 나노선을 이용한 FETs 특성 고찰

제목
배열된 Si 나노선을 이용한 FETs 특성 고찰
저자
Kim, Sangsig
학회명
2010년도 대한전기학회 고전압 및 방전응용 기술연구회
개최국가
대한민국
학회 개최일
2010-05-14 ~ 2010-05-14

ScholarWorks@고려대학교

02841 서울특별시 성북구 안암로 145 Tel. 02-3290-2963

COPYRIGHT © 고려대학교 All Rights Reserved.

Certain data included herein are derived from the © Web of Science of Clarivate Analytics. All rights reserved.

You may not copy or re-distribute this material in whole or in part without the prior written consent of Clarivate Analytics.