ScholarWorks@고려대학교
조직
연구자
연구성과
저널
English
상세 보기
Analytic channel potential model for fully-depleted gate-all-around (GAA) MOSFETs with a finite doping body
Hwang, Sung Woo
Citation
APA
CHICAGO
MLA
VANCOUVER
IEEE
HARVARD
Export
XML (DC)
EXCEL
제목
Analytic channel potential model for fully-depleted gate-all-around (GAA) MOSFETs with a finite doping body
저자
Hwang, Sung Woo
학회명
제15회 반도체 학술대회
개최국가
대한민국
학회 개최일
2008-02-20 ~ 2008-02-22
더보기