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상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성
Resistive Switching Characteristics of Hafnium Oxide Thin Films Sputtered at Room Temperature
- 한용;
- 김상식;
- 조경아;
- 윤정권;
- 김기범;
- 외 5명
초록
본 연구에서는 Al/HfO2/ITO 구조의 ReRAM 소자를 glass 기판 위에 제작하고 그에 대한 메모리 특성을 조사하였다. 저항변화층으로 쓰인 hafnium oxide 박막은 냉각 시스템을 이용한 Sputtering 방법으로 상온에서 형성하였다. Glass 기판 위에 제작된 Al/HfO₂/ITO 소자는 bipolar 저항변화 특성을 보였고 저항비는 60 이상이었으며 10,000초 이상의 retention 특성 측정에서도 낮은 저항 상태와 높은 저항상태에 대한 저항비를 거의 변화 없이 유지하였다.
키워드
ReRAM; Bipolar; HfO₂ thin film
- 제목
- 상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성
- 제목 (타언어)
- Resistive Switching Characteristics of Hafnium Oxide Thin Films Sputtered at Room Temperature
- 저자
- 한용; 김상식; 조경아; 윤정권; 김기범; 김용상; 윤태식; 이현호; 최영진; 황현상
- 발행일
- 2011
- 저널명
- 전기전자재료학회논문지
- 권
- 24
- 호
- 9
- 페이지
- 710 ~ 712
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국전기전자재료학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 3 페이지
- ISSN
- P 1226-7945