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질소 이온을 이용하여 전처리된 Si(111)기판 상에 2중 완충층을 이용한 GaN 성장

제목
질소 이온을 이용하여 전처리된 Si(111)기판 상에 2중 완충층을 이용한 GaN 성장
저자
BYUN, Dong Jin
학회명
제81회 한국물리학회 정기총회
개최지
이화여자대학교
학회 개최일
2005-04-21 ~ 2005-04-23

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