상세 보기
ICP Source를 이용한 저온 증착 a-SiNx:H 특성 평가
Low Temperature Deposition a-SiNx:H Using ICP Source
- 강성칠;
- 이동혁;
- 소현욱;
- 장진녕;
- 홍문표;
- 외 1명
초록
본 연구에서는 Flexible Display를 위하여 ICP source를 사용하여, 저온 공정 게이트 절연막인 a-SiNx:H의 증착과 특성평가가 진행되었다. 150℃에서 진행된 게이트 절연막 증착에서 플라즈마내의 보다 많은 활성 Radical과 하전입자들을 생성시키기 위하여, 수소가 첨가되었으며 일정량의 수소가 첨가되었을 때, 빠져나온 electron들의 영향으로 많은 입자가 활성되었으며, 이로 인하여 고품질의 박막(3 MV/cm)을 얻을 수 있었다.
키워드
Low-temperature; ICP source; I-V; OES; FT-IR
- 제목
- ICP Source를 이용한 저온 증착 a-SiNx:H 특성 평가
- 제목 (타언어)
- Low Temperature Deposition a-SiNx:H Using ICP Source
- 저자
- 강성칠; 이동혁; 소현욱; 장진녕; 홍문표; 권광호
- 발행일
- 2011
- 저널명
- 전기전자재료학회논문지
- 권
- 24
- 호
- 7
- 페이지
- 532 ~ 536