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Al2O3 산화막을 이용한 600V급 GaN Trench Gate MOSFET에 관한 연구

  • Sung, Man Young
제목
Al2O3 산화막을 이용한 600V급 GaN Trench Gate MOSFET에 관한 연구
저자
Sung, Man Young
발행일
2011-04-22
학회명
2011년도 한국전기전자재료학회 춘계학술포럼
개최지
충청북도 음성군 극동대학교
개최국가
대한민국
학회 개최일
2011-04-22 ~ 2011-04-22

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