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Floating P층을 전계 방지막으로 설계한 2000V급 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)의 특성 해석에 관한 연구

  • Sung, Man Young
제목
Floating P층을 전계 방지막으로 설계한 2000V급 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)의 특성 해석에 관한 연구
저자
Sung, Man Young
학회명
한국반도체학술대회

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