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트렌치 ion implantation을 이용한 1700V급 TG-IGBT(Trench Gate Insulate Gated Bipolar Transistor)의 전기적 특성에 관한 연구

  • Sung, Man Young
제목
트렌치 ion implantation을 이용한 1700V급 TG-IGBT(Trench Gate Insulate Gated Bipolar Transistor)의 전기적 특성에 관한 연구
저자
Sung, Man Young
학회명
2007년도 대한 전기학회 하계 학술대회

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