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Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성

제목
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
저자
BYUN, Dong Jin
학회명
2003년도 한국재료학회 춘계 학술발표강연
개최지
울산대학교
학회 개최일
2003-05-23 ~ 2003-05-24

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