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- 제목
- A Double Gate Cell FeRAM with Non-Destructive Read Out(NDRO) and Random Access Scheme for Nanoscale and Terabit Nonvolatile Memory
- 저자
- Sung, Man Young
- 학회명
- International Symposium on Integrated Ferroelectrics(ISIF)
- 개최지
- Shanghai, China
- 학회 개최일
- 2005-04-17 ~ 2005-04-20