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Protection Circuit Module에 최적화된 60 V급 TDMOSFET 최적화 설계에 관한 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이현웅 | - |
| dc.contributor.author | 성만영 | - |
| dc.contributor.author | 정은식 | - |
| dc.contributor.author | 오름 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-07T01:22:58Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-07T01:22:58Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-17 | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/109838 | - |
| dc.description.abstract | Protected Circuit Moduledms 과충전, 과방전으로 부터 배터리를 보호해주는 모듈이다. 이 모듈에 필연적으로 들어가게 되는 소자가 파워 반도체인데, 상대적으로 낮은 전압에서 전류를 흘리는데 유리한 TDMOS가 많이 연구되고 있다. 본 논문에서는 파라미터별 TDMOS의 전기적 특성을 시뮬레이션하여 PCM회로에 사용되는 전력 소자의 최적 구조를 이루었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | Protection Circuit Module에 최적화된 60 V급 TDMOSFET 최적화 설계에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Study on Design of 60 V TDMOSFET for Protection Circuit Module | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 성만영 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2012.25.5.340 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.25, no.5, pp.340 - 344 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 25 | - |
| dc.citation.number | 5 | - |
| dc.citation.startPage | 340 | - |
| dc.citation.endPage | 344 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001654000 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Protected circuit module | - |
| dc.subject.keywordAuthor | TDMOS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Breakdown voltage | - |
| dc.subject.keywordAuthor | On resistance | - |
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