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Protection Circuit Module에 최적화된 60 V급 TDMOSFET 최적화 설계에 관한 연구Study on Design of 60 V TDMOSFET for Protection Circuit Module

Other Titles
Study on Design of 60 V TDMOSFET for Protection Circuit Module
Authors
이현웅성만영정은식오름
Issue Date
2012
Publisher
한국전기전자재료학회
Keywords
Protected circuit module; TDMOS; Breakdown voltage; On resistance
Citation
전기전자재료학회논문지, v.25, no.5, pp.340 - 344
Indexed
KCI
Journal Title
전기전자재료학회논문지
Volume
25
Number
5
Start Page
340
End Page
344
URI
https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/109838
DOI
10.4313/JKEM.2012.25.5.340
ISSN
1226-7945
Abstract
Protected Circuit Moduledms 과충전, 과방전으로 부터 배터리를 보호해주는 모듈이다. 이 모듈에 필연적으로 들어가게 되는 소자가 파워 반도체인데, 상대적으로 낮은 전압에서 전류를 흘리는데 유리한 TDMOS가 많이 연구되고 있다. 본 논문에서는 파라미터별 TDMOS의 전기적 특성을 시뮬레이션하여 PCM회로에 사용되는 전력 소자의 최적 구조를 이루었다.
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College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles

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