0.18-μm SiGe BiCMOS 공정 기반 70/140 GHz 듀얼 밴드 전압 제어 발진기
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김경민 | - |
dc.contributor.author | 김남형 | - |
dc.contributor.author | 이재성 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T04:47:51Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T04:47:51Z | - |
dc.date.created | 2021-06-16 | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.issn | 1226-3133 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/110803 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 push-push 방식을 사용하여 설계 제작된 0.18-μm SiGe BiCMOS 공정 기반 70 GHz와 140 GHz에서 모두 동작하는 듀얼 밴드 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator: VCO)의 결과를 보인다. 측정 결과, 본 전압 제어 발진기는 조절 전압이 0.2 V에서 2 V까지 변하는 동안 하위 밴드와 상위 밴드에서 각각 67.9~76.9 GHz, 134.3~154.5 GHz의 주파수 조절 범위를 갖는다. 보정 후의 최대 출력 전력은 각각 —0.55 dBm과 —15.45 dBm이었다. 본 전압 제어 발진기는 4 V의 전원으로부터 18 mA의 DC 전류를 소모한다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전자파학회 | - |
dc.title | 0.18-μm SiGe BiCMOS 공정 기반 70/140 GHz 듀얼 밴드 전압 제어 발진기 | - |
dc.title.alternative | A 70/140 GHz Dual-Band Push-Push VCO Based on 0.18-μm SiGe BiCMOS Technology | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이재성 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 한국전자파학회 논문지, v.23, no.2, pp.207 - 212 | - |
dc.relation.isPartOf | 한국전자파학회 논문지 | - |
dc.citation.title | 한국전자파학회 논문지 | - |
dc.citation.volume | 23 | - |
dc.citation.number | 2 | - |
dc.citation.startPage | 207 | - |
dc.citation.endPage | 212 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001636778 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | VCO | - |
dc.subject.keywordAuthor | Push-Push | - |
dc.subject.keywordAuthor | MOS Varactor | - |
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