Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 안재희 | - |
dc.contributor.author | 김지현 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T04:58:16Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T04:58:16Z | - |
dc.date.created | 2021-06-16 | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.issn | 0304-128X | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/110874 | - |
dc.description.abstract | Strain-free AlGaN/GaN 나노선을 기판에 분산시킨 후 E-beam lithography(EBL)를 이용해 단일 나노선 자외선 센서를 제작하였다. 나노선의 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위해 focused ion beam(FIB), photoluminescence, micro-Raman spectroscopy를 이용하여 나노선의 strain 및 형태를 조사하였다. 자외선 센서로서의 특성 여부를 확인하기 위하여 빛을 차단 한 조건과 자외선을 조사하는 조건하에서 current-voltage(I-V) 특성을 측정하였으며 각각 9.0 μS과 9.5 μS 의 전기전도도(conductance)를 얻었다. 자외선 조사 조건하에서 excess carrier의 증가로 인해 전기전도도가 약 5%가향상되었음을 알 수 있었다. 자외선을 반복적으로 조사하는 과정의 실험을 통해 우수한 포화 시간(saturation time)과 감쇠 시간(decay time)을 얻었다. 따라서 AlGaN/GaN 나노선은 자외선 센서로서 많은 가능성을 가지고 있음을 확인하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국화학공학회 | - |
dc.title | Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구 | - |
dc.title.alternative | Strain-free AlGaN/GaN Nanowires for UV Sensor Applications | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김지현 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK), v.50, no.1, pp.72 - 75 | - |
dc.relation.isPartOf | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) | - |
dc.citation.title | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) | - |
dc.citation.volume | 50 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.citation.startPage | 72 | - |
dc.citation.endPage | 75 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001627812 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | GaN | - |
dc.subject.keywordAuthor | Nanowire | - |
dc.subject.keywordAuthor | Sensor | - |
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