Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구Strain-free AlGaN/GaN Nanowires for UV Sensor Applications
- Other Titles
- Strain-free AlGaN/GaN Nanowires for UV Sensor Applications
- Authors
- 안재희; 김지현
- Issue Date
- 2012
- Publisher
- 한국화학공학회
- Keywords
- GaN; Nanowire; Sensor
- Citation
- Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK), v.50, no.1, pp.72 - 75
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK)
- Volume
- 50
- Number
- 1
- Start Page
- 72
- End Page
- 75
- URI
- https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/110874
- ISSN
- 0304-128X
- Abstract
- Strain-free AlGaN/GaN 나노선을 기판에 분산시킨 후 E-beam lithography(EBL)를 이용해 단일 나노선 자외선 센서를 제작하였다. 나노선의 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위해 focused ion beam(FIB), photoluminescence, micro-Raman spectroscopy를 이용하여 나노선의 strain 및 형태를 조사하였다. 자외선 센서로서의 특성 여부를 확인하기 위하여 빛을 차단 한 조건과 자외선을 조사하는 조건하에서 current-voltage(I-V) 특성을 측정하였으며 각각 9.0 μS과 9.5 μS 의 전기전도도(conductance)를 얻었다. 자외선 조사 조건하에서 excess carrier의 증가로 인해 전기전도도가 약 5%가향상되었음을 알 수 있었다. 자외선을 반복적으로 조사하는 과정의 실험을 통해 우수한 포화 시간(saturation time)과 감쇠 시간(decay time)을 얻었다. 따라서 AlGaN/GaN 나노선은 자외선 센서로서 많은 가능성을 가지고 있음을 확인하였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > Department of Chemical and Biological Engineering > 1. Journal Articles
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