나노임프린트 리소그래피 적용을 위한 CHF₃ 플라즈마를 이용한 실리콘 몰드 표면 처리 특성
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김용근 | - |
dc.contributor.author | 권광호 | - |
dc.contributor.author | 김재현 | - |
dc.contributor.author | 유반석 | - |
dc.contributor.author | 장지수 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T17:01:56Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T17:01:56Z | - |
dc.date.created | 2021-06-18 | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/113503 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 나노 임프린트 리소그래피 공정중에서 디몰딩 공정에 적용하기 위해 ICP 장비를 이용하여 Si 표면을 CHF₃플라즈마를 이용하여 개질 하였다. Si 표면개질 전과 후의 접촉각은 80o에서 118o 로 증가되었다. 이와 같은 이유를 확인하고자 XPS 분석을 조사하였고, 그 결과 Si 표면에 CFx (x= 1,2,3) 폴리머가 형성되어 높은 접촉각이 조사 되었고, 점착 방지막을 형성할 수 있었다. 그 후 디몰딩 공정을 수행하였고, 디몰딩 공정이 증가됨에 따라 정확한 패턴 전사가 되지 않음을 SEM 사진을 통하여 확인하였다. 이와 같은 이유를 알아보고자 디몰딩 횟수 증가에 따른 접촉각 과 XPS 분석을 조사하였다. 그 결과 디몰딩 횟수의 증가로 인하여 Si 표면에 점착방지막인 CFx 폴리머가 소멸이 중요한 요소이며 디몰딩공정 중 PDMS에 의하여 국부적인 Si 표면이 오염 된 것을 확인할 수 있었다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
dc.title | 나노임프린트 리소그래피 적용을 위한 CHF₃ 플라즈마를 이용한 실리콘 몰드 표면 처리 특성 | - |
dc.title.alternative | A Study of the Silicon Mold Surface Treatment Using CHF₃Plasma for Nano Imprint Lithography | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 권광호 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.24, no.10, pp.790 - 793 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 24 | - |
dc.citation.number | 10 | - |
dc.citation.startPage | 790 | - |
dc.citation.endPage | 793 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001592541 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Degradation characteristic | - |
dc.subject.keywordAuthor | Nano imprint lithography | - |
dc.subject.keywordAuthor | ICP | - |
dc.subject.keywordAuthor | XPS | - |
dc.subject.keywordAuthor | Contact angle | - |
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