Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
마그네슘이 도핑된 GaN 공간층과 양자장벽층을 이용한 무분극 GaN 발광다이오드의 전기적/광학적 특성 향상
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김동호 | - |
| dc.contributor.author | 손성훈 | - |
| dc.contributor.author | 김태근 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-07T20:10:05Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-07T20:10:05Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-17 | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114545 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 고효율·고출력 무분극 GaN LED의 구현을 위하여 Mg이 도핑된 GaN spacer층 및 GaN quantum barrier(QB)층을삽입한 구조를 제안하였다. 제안한 구조에 대한 물리적 해석을 위하여 일반적인 무분극 LED 에피구조와 본 연구에서 제안한p-GaN spacer층 및 p-GaN QB층이 삽입된 무분극 LED 에피구조에 대해 상용화된 SimuLED^(TM) 시뮬레이터를 이용하여 전기적/광학적 특성을 비교·분석하였다. 실험 결과, 본 연구에서 제안한 무분극 LED는 20 mA의 전류주입 하에서 동작전압(Vf)이 일반적인 무분극 LED에 비해 약 3.7% 감소된 3.67 V의 전기적 특성을 갖는 것을 확인하였고, 광출력은 약 7% 향상된 2.13 mW 의 광학적 특성을 갖는 구조임을 확인하였다. 또한, 내부양자효율(Internal quantum efficiency, IQE)과 광방출세기(emission peak intensity) 역시 각각 9.1% 및 170% 향상된 우수한 특성을 갖는 에피구조임을 확인하였다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | 마그네슘이 도핑된 GaN 공간층과 양자장벽층을 이용한 무분극 GaN 발광다이오드의 전기적/광학적 특성 향상 | - |
| dc.title.alternative | Improvement of Electrical/optical Characteristics Using Mg-doped GaN Spacers and Quantum Barriers for Nonpolar GaN light-emitting Diodes | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김태근 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.48, no.7, pp.10 - 16 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.volume | 48 | - |
| dc.citation.number | 7 | - |
| dc.citation.startPage | 10 | - |
| dc.citation.endPage | 16 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001574281 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Nonpolar | - |
| dc.subject.keywordAuthor | gallium-nitride(GaN) | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Light-emitting diodes(LEDs) | - |
| dc.subject.keywordAuthor | spacer | - |
| dc.subject.keywordAuthor | quantum barrier(QB) | - |
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.