상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 한용 | - |
dc.contributor.author | 김상식 | - |
dc.contributor.author | 조경아 | - |
dc.contributor.author | 윤정권 | - |
dc.contributor.author | 김기범 | - |
dc.contributor.author | 김용상 | - |
dc.contributor.author | 윤태식 | - |
dc.contributor.author | 이현호 | - |
dc.contributor.author | 최영진 | - |
dc.contributor.author | 황현상 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T21:08:38Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T21:08:38Z | - |
dc.date.created | 2021-06-16 | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114824 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 Al/HfO2/ITO 구조의 ReRAM 소자를 glass 기판 위에 제작하고 그에 대한 메모리 특성을 조사하였다. 저항변화층으로 쓰인 hafnium oxide 박막은 냉각 시스템을 이용한 Sputtering 방법으로 상온에서 형성하였다. Glass 기판 위에 제작된 Al/HfO₂/ITO 소자는 bipolar 저항변화 특성을 보였고 저항비는 60 이상이었으며 10,000초 이상의 retention 특성 측정에서도 낮은 저항 상태와 높은 저항상태에 대한 저항비를 거의 변화 없이 유지하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
dc.title | 상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성 | - |
dc.title.alternative | Resistive Switching Characteristics of Hafnium Oxide Thin Films Sputtered at Room Temperature | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김상식 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 조경아 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.24, no.9, pp.710 - 712 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 24 | - |
dc.citation.number | 9 | - |
dc.citation.startPage | 710 | - |
dc.citation.endPage | 712 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001585465 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | ReRAM | - |
dc.subject.keywordAuthor | Bipolar | - |
dc.subject.keywordAuthor | HfO₂ thin film | - |
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