CIGS 박막의 전착에 관한 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 이상민 | - |
dc.contributor.author | 김영호 | - |
dc.contributor.author | 오미경 | - |
dc.contributor.author | 홍석인 | - |
dc.contributor.author | 고항주 | - |
dc.contributor.author | 이치우 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-08T06:19:05Z | - |
dc.date.available | 2021-09-08T06:19:05Z | - |
dc.date.created | 2021-06-18 | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.issn | 1229-1935 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/117326 | - |
dc.description.abstract | Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 진공장치를 사용하는 제조 방법으로 동시증착법, 스퍼터링법 +셀렌화가 있고, 비진공 제조 방법으로 전기화학적인전착법이 있다. 각 방법에 있어서도 출발 물질의 종류에 따라 다양한 제조 방법이 동원 될 수 있다. 진공증착에 의한 방법은 고품질의 박막을 얻는데 사용 되고 있으나 고가의 진공장비가 사용되므로대면적화에 따른 제조비용 측면에서 문제가 있다. 이에 비하여, 전착법은 간단하면서도 저가로대면적화를 이룰 수 있다는 장점 때문에, 많은 관심이 기울여지고 있다. 본 연구에서는 Mo/Glass전극위에 Ga/(In + Ga) = 0.3의 성분비를 만족시키는 CIGS 박막을 전기화학적으로 제조하기 위하여,Cu2+, In3+, Ga3+, Se4+ 4성분을 모두 포함하는 전해질 수용액 내에서, 4성분의 이온들이 동시에환원되는 전위를 조절하여 CIGS 박막을 전착 하였다. SEM을 이용하여 얻어진 CIGS 박막의전착된 시료의 표면을 관찰하였고, EDS로 그 조성을 분석하였다. 또한, XRD를 이용하여 전착시료의 열처리 전후의 결정성변화를 조사하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기화학회 | - |
dc.title | CIGS 박막의 전착에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | Electrodeposition of Cu(InxGa(1−x))Se2 Thin Film | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 홍석인 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이치우 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기화학회지, v.13, no.2, pp.89 - 95 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기화학회지 | - |
dc.citation.title | 전기화학회지 | - |
dc.citation.volume | 13 | - |
dc.citation.number | 2 | - |
dc.citation.startPage | 89 | - |
dc.citation.endPage | 95 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001445976 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Cu(InxGa(1−x))Se2 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Electrodeposition | - |
dc.subject.keywordAuthor | Thin film | - |
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