CIGS 박막의 전착에 관한 연구Electrodeposition of Cu(InxGa(1−x))Se2 Thin Film
- Other Titles
- Electrodeposition of Cu(InxGa(1−x))Se2 Thin Film
- Authors
- 이상민; 김영호; 오미경; 홍석인; 고항주; 이치우
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 한국전기화학회
- Keywords
- Cu(InxGa(1−x))Se2; Electrodeposition; Thin film
- Citation
- 전기화학회지, v.13, no.2, pp.89 - 95
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기화학회지
- Volume
- 13
- Number
- 2
- Start Page
- 89
- End Page
- 95
- URI
- https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/117326
- ISSN
- 1229-1935
- Abstract
- Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 진공장치를 사용하는 제조 방법으로 동시증착법, 스퍼터링법 +셀렌화가 있고, 비진공 제조 방법으로 전기화학적인전착법이 있다. 각 방법에 있어서도 출발 물질의 종류에 따라 다양한 제조 방법이 동원 될 수 있다.
진공증착에 의한 방법은 고품질의 박막을 얻는데 사용 되고 있으나 고가의 진공장비가 사용되므로대면적화에 따른 제조비용 측면에서 문제가 있다. 이에 비하여, 전착법은 간단하면서도 저가로대면적화를 이룰 수 있다는 장점 때문에, 많은 관심이 기울여지고 있다. 본 연구에서는 Mo/Glass전극위에 Ga/(In + Ga) = 0.3의 성분비를 만족시키는 CIGS 박막을 전기화학적으로 제조하기 위하여,Cu2+, In3+, Ga3+, Se4+ 4성분을 모두 포함하는 전해질 수용액 내에서, 4성분의 이온들이 동시에환원되는 전위를 조절하여 CIGS 박막을 전착 하였다. SEM을 이용하여 얻어진 CIGS 박막의전착된 시료의 표면을 관찰하였고, EDS로 그 조성을 분석하였다. 또한, XRD를 이용하여 전착시료의 열처리 전후의 결정성변화를 조사하였다.
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