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AlGaN/GaN HEMT의 분극 현상에 대한 3D 시뮬레이션
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정강민 | - |
| dc.contributor.author | 김재무 | - |
| dc.contributor.author | 김희동 | - |
| dc.contributor.author | 김동호 | - |
| dc.contributor.author | 김태근 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-08T08:54:30Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-08T08:54:30Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-17 | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/118205 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 분극에 의한 전기적인 특성과 구조적인 특성에 대해서 분석하였다. 몰 분율, AlGaN barrier 층의 두께의 물리적인 변화에 따라서 이차원 전자가스 채널의 농도 변화가 이루어지는 것을 바탕으로 DC 특성 및 분극을 고려한 최적화된 구조에 대해서 시뮬레이션을 진행하였다. AlGaN의 몰 분율이 0.3 몰에서 0.4 몰로 증가할수록 분극에의한 bound sheet charge가 16 % 증가하며 그에 따라서 Id-Vd 특성 역시 37% 증가하게 된다. 또한 AlGaN 층의 두께가 17nm에서 38 nm로 증가할수록 Id-Vd의 특성이 증가하다가 임계두께인 39nm에 이르게 되면 AlGaN층의 relaxation에 의해서 급격하게 특성이 나빠지는 것을 알 수 있다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | AlGaN/GaN HEMT의 분극 현상에 대한 3D 시뮬레이션 | - |
| dc.title.alternative | 3D Simulation on Polarization Effect in AlGaN/GaN HEMT | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김태근 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.47, no.10, pp.23 - 28 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.volume | 47 | - |
| dc.citation.number | 10 | - |
| dc.citation.startPage | 23 | - |
| dc.citation.endPage | 28 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001490727 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | GaN | - |
| dc.subject.keywordAuthor | HEMT | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Polarization | - |
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- Kim, Tae geun
- College of Engineering (School of Electrical Engineering)