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실제적 구조를 가진 벌크 및 SOI FinFET에서 발생하는 동적 self-heating 효과Dynamic Self-Heating Effects of Bulk and SOI FinFET with Realistic Device Structure
- Other Titles
- Dynamic Self-Heating Effects of Bulk and SOI FinFET with Realistic Device Structure
- Authors
- 유희상; Hayun Cecillia Chung; 양지운
- Issue Date
- 2015
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- TCAD simulation; SOI; FinFET; dynamic; self-heating effects
- Citation
- 전자공학회논문지, v.52, no.10, pp.64 - 70
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지
- Volume
- 52
- Number
- 10
- Start Page
- 64
- End Page
- 70
- ISSN
- 2287-5026
- Abstract
- 본 연구에서는 실제적 구조를 가지는 bulk와 SOI FinFET에서의 self-heating 효과를 3차원 TCAD 전산모사를 통하여 분석하였다. 기존 연구들에서와 마찬가지로 self-heating 효과에 의해 나타나는 정적인 구동전류의 감소는 SOI FinFET에서 bulk FinFET보다 더 심각함을 보여주고 있다.. 그러나 고속의 logic 동작 및 실제적 구조를 감안하면 SOI FinFET에서의 동적 self-heating 효과는 bulk FinFET과 큰 차이가 없음을 강조한다.
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