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SCIE
SCOPUS
Correlation between charge trap distribution and memory characteristics in metal/oxide/nitride/oxide/silicon devices with two different blocking oxides, Al2O3 and SiO2
Seo, Y. J.; Kim, K. C.; Kim, H. D.; Joo, M. S.; An, H. M.;
Kim, T. G.
Article
Issue Date
2008
Citation
APPLIED PHYSICS LETTERS, v.93, no.6
Publisher
AMER INST PHYSICS
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