65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 윤대근 | - |
dc.contributor.author | 김남형 | - |
dc.contributor.author | 김동현 | - |
dc.contributor.author | 이재성 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-06T11:07:35Z | - |
dc.date.available | 2021-09-06T11:07:35Z | - |
dc.date.created | 2021-06-16 | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.issn | 1226-3133 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/106380 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 고주파 이미징 시스템에 사용되는 D-band 이미징 검출기(imaging detector)를 65-nm CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작한 결과를 보인다. 검출기 회로 구조는 resistive self-mixing 원리에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 145 GHz에서 400 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 100 pW/Hz1/2의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정용 패드와 밸룬을 포함하여 400 μm×450 μm이며, 중심 회로의 크기는 150 μm×100 μm이다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전자파학회 | - |
dc.title | 65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기 | - |
dc.title.alternative | A 145 GHz Imaging Detector Based on 65-nm RFCMOS Technology | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이재성 | - |
dc.identifier.doi | 10.5515/KJKIEES.2013.24.11.1027 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 한국전자파학회 논문지, v.24, no.11, pp.1027 - 1033 | - |
dc.relation.isPartOf | 한국전자파학회 논문지 | - |
dc.citation.title | 한국전자파학회 논문지 | - |
dc.citation.volume | 24 | - |
dc.citation.number | 11 | - |
dc.citation.startPage | 1027 | - |
dc.citation.endPage | 1033 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001820441 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Detector | - |
dc.subject.keywordAuthor | Imaging | - |
dc.subject.keywordAuthor | CMOS | - |
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