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65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기A 145 GHz Imaging Detector Based on 65-nm RFCMOS Technology

Other Titles
A 145 GHz Imaging Detector Based on 65-nm RFCMOS Technology
Authors
윤대근김남형김동현이재성
Issue Date
2013
Publisher
한국전자파학회
Keywords
Detector; Imaging; CMOS
Citation
한국전자파학회 논문지, v.24, no.11, pp.1027 - 1033
Indexed
KCI
Journal Title
한국전자파학회 논문지
Volume
24
Number
11
Start Page
1027
End Page
1033
URI
https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/106380
DOI
10.5515/KJKIEES.2013.24.11.1027
ISSN
1226-3133
Abstract
본 논문에서는 고주파 이미징 시스템에 사용되는 D-band 이미징 검출기(imaging detector)를 65-nm CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작한 결과를 보인다. 검출기 회로 구조는 resistive self-mixing 원리에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 145 GHz에서 400 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 100 pW/Hz1/2의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정용 패드와 밸룬을 포함하여 400 μm×450 μm이며, 중심 회로의 크기는 150 μm×100 μm이다.
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College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles

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Rieh, Jae Sung
공과대학 (전기전자공학부)
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