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플라즈마 진단에 의한 PECVD SiO₂ 증착의 불균일성 원인 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 함용현 | - |
| dc.contributor.author | 이현우 | - |
| dc.contributor.author | 권광호 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-07T19:26:34Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-07T19:26:34Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-17 | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114351 | - |
| dc.description.abstract | 본 연구는 플라즈마 진단을 통해 대면적에서의 PECVD SiO₂증착의 불균일 증착 원인을 연구하였다. 챔버내의 플라즈마 활성종의 공간적 분포를 랑뮤어프로브와 새롭게 디자인된 프로브 타입의 사중극 질량분석기를 통해 얻었다. 플라즈마 활성종의 공간적 분포와 SiO₂박막의 증착속도 사이의 관계로 부터, SiO₂박막의 불균일 증착은 산소 라디칼의 밀도와 전자 온도의 공간적 분포와 밀접한 관련이 있는 것을 확인하였다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | 플라즈마 진단에 의한 PECVD SiO₂ 증착의 불균일성 원인 연구 | - |
| dc.title.alternative | The Study on the Non-Uniformity of PECVD SiO₂Deposition by the Plasma Diagnostics | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 권광호 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.24, no.2, pp.89 - 94 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 24 | - |
| dc.citation.number | 2 | - |
| dc.citation.startPage | 89 | - |
| dc.citation.endPage | 94 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001523556 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | PECVD | - |
| dc.subject.keywordAuthor | non-uniformity | - |
| dc.subject.keywordAuthor | deposition | - |
| dc.subject.keywordAuthor | SiO₂ | - |
| dc.subject.keywordAuthor | QMS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | DLP | - |
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