AlGaN/GaN HEMT 의 DC 및 RF 특성 최적화
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 손성훈 | - |
dc.contributor.author | 김태근 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T19:44:14Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T19:44:14Z | - |
dc.date.created | 2021-06-17 | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114379 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 및 RF 특성을 최적화 하기위해서 2차원 소자 시뮬레이터를 이용하여 연구를 진행하였다. 먼저, AlGaN층의 두께, Al mole fraction 의 변화에 따른 2차원 전자가스 채널의 농도변화가 생기는 현상을 바탕으로 DC특성을 분석하였다. 다음 게이트, 소스, 드레인 전극의 크기와 위치 변화에 따른 RF 특성을 분석하였다. 그 결과 Al mole fraction이 0.2몰에서 0.45몰로 증가할수록 전달이득(transconductance, gm) 과 I-V 특성이 향상됨을 확인하였다. 한편AlGaN층의 두께가 10nm에서 50nm로 증가할수록 I-V특성은 향상되지만 gm은 감소하는것을 확인하였다. RF 특성에서는 게이트 길이가 가장 큰 영향을 미치며 그 길이가 짧을수록 RF특성이 향상되는 것을 확인하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
dc.title | AlGaN/GaN HEMT 의 DC 및 RF 특성 최적화 | - |
dc.title.alternative | (Optimization of the DC and RF characteristics in AlGaN/GaN HEMT) | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김태근 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.48, no.9, pp.1 - 5 | - |
dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
dc.citation.volume | 48 | - |
dc.citation.number | 9 | - |
dc.citation.startPage | 1 | - |
dc.citation.endPage | 5 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001591267 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | HEMT | - |
dc.subject.keywordAuthor | DC and RF characteristics | - |
dc.subject.keywordAuthor | f_T | - |
dc.subject.keywordAuthor | f_(max) | - |
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