AlGaN/GaN HEMT 의 DC 및 RF 특성 최적화(Optimization of the DC and RF characteristics in AlGaN/GaN HEMT)
- Other Titles
- (Optimization of the DC and RF characteristics in AlGaN/GaN HEMT)
- Authors
- 손성훈; 김태근
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- HEMT; DC and RF characteristics; f_T; f_(max)
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.48, no.9, pp.1 - 5
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 48
- Number
- 9
- Start Page
- 1
- End Page
- 5
- URI
- https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114379
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 및 RF 특성을 최적화 하기위해서 2차원 소자 시뮬레이터를 이용하여 연구를 진행하였다. 먼저, AlGaN층의 두께, Al mole fraction 의 변화에 따른 2차원 전자가스 채널의 농도변화가 생기는 현상을 바탕으로 DC특성을 분석하였다. 다음 게이트, 소스, 드레인 전극의 크기와 위치 변화에 따른 RF 특성을 분석하였다. 그 결과 Al mole fraction이 0.2몰에서 0.45몰로 증가할수록 전달이득(transconductance, gm) 과 I-V 특성이 향상됨을 확인하였다. 한편AlGaN층의 두께가 10nm에서 50nm로 증가할수록 I-V특성은 향상되지만 gm은 감소하는것을 확인하였다. RF 특성에서는 게이트 길이가 가장 큰 영향을 미치며 그 길이가 짧을수록 RF특성이 향상되는 것을 확인하였다.
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