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ICP Source를 이용한 저온 증착 a-SiNx:H 특성 평가
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강성칠 | - |
| dc.contributor.author | 이동혁 | - |
| dc.contributor.author | 소현욱 | - |
| dc.contributor.author | 장진녕 | - |
| dc.contributor.author | 홍문표 | - |
| dc.contributor.author | 권광호 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-07T21:05:36Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-07T21:05:36Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-16 | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/114805 | - |
| dc.description.abstract | 본 연구에서는 Flexible Display를 위하여 ICP source를 사용하여, 저온 공정 게이트 절연막인 a-SiNx:H의 증착과 특성평가가 진행되었다. 150℃에서 진행된 게이트 절연막 증착에서 플라즈마내의 보다 많은 활성 Radical과 하전입자들을 생성시키기 위하여, 수소가 첨가되었으며 일정량의 수소가 첨가되었을 때, 빠져나온 electron들의 영향으로 많은 입자가 활성되었으며, 이로 인하여 고품질의 박막(3 MV/cm)을 얻을 수 있었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | ICP Source를 이용한 저온 증착 a-SiNx:H 특성 평가 | - |
| dc.title.alternative | Low Temperature Deposition a-SiNx:H Using ICP Source | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 홍문표 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 권광호 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.24, no.7, pp.532 - 536 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 24 | - |
| dc.citation.number | 7 | - |
| dc.citation.startPage | 532 | - |
| dc.citation.endPage | 536 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001567597 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Low-temperature | - |
| dc.subject.keywordAuthor | ICP source | - |
| dc.subject.keywordAuthor | I-V | - |
| dc.subject.keywordAuthor | OES | - |
| dc.subject.keywordAuthor | FT-IR | - |
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