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ICP Source를 이용한 저온 증착 a-SiNx:H 특성 평가Low Temperature Deposition a-SiNx:H Using ICP Source
- Other Titles
- Low Temperature Deposition a-SiNx:H Using ICP Source
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Low-temperature; ICP source; I-V; OES; FT-IR
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.24, no.7, pp.532 - 536
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 24
- Number
- 7
- Start Page
- 532
- End Page
- 536
- ISSN
- 1226-7945
- Abstract
- 본 연구에서는 Flexible Display를 위하여 ICP source를 사용하여, 저온 공정 게이트 절연막인 a-SiNx:H의 증착과 특성평가가 진행되었다. 150℃에서 진행된 게이트 절연막 증착에서 플라즈마내의 보다 많은 활성 Radical과 하전입자들을 생성시키기 위하여, 수소가 첨가되었으며 일정량의 수소가 첨가되었을 때, 빠져나온 electron들의 영향으로 많은 입자가 활성되었으며, 이로 인하여 고품질의 박막(3 MV/cm)을 얻을 수 있었다.
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