계단형 게이트 구조를 이용한 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압특성 분석
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김동호 | - |
dc.contributor.author | 정강민 | - |
dc.contributor.author | 김태근 | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-08T07:17:30Z | - |
dc.date.available | 2021-09-08T07:17:30Z | - |
dc.date.created | 2021-06-17 | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
dc.identifier.uri | https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/117653 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 고출력 고이득 특성을 갖는 고전자이동도 트랜지스터 (high-electron mobility transistor, HEMT)를 구현하기 위하여 계단형 구조의 게이트 전극을 갖는 AlGaN/GaN HEMT를 제안하였고, 소자의 DC 특성의 향상 가능성을 확인하기 위하여 단일 게이트 전극을 갖는 HEMT 및 field-plate 구조의 게이트 전극을 갖는 HEMT 소자와의 특성을 비교 분석하였다. 상용 시뮬레이터를 통해 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 계단형 구조의 게이트 전극을 갖는 AlGaN/GaN HEMT는 드레인 전압의 인가 시, 소자의 내부에서 발생하는 전계가 단일 게이트 전극을 갖는 HEMT에 비해 약 70% 정도 감소하는 특성을 갖는 것을 확인하였고, 전달이득 (transconductance, ) 특성 역시 단일 게이트 전극구조의 HEMT나 field-plate 구조를 삽입한 HEMT에 비해 약 11.4% 정도 향상된 우수한 DC 특성을 갖는 것을 확인하였다. | - |
dc.language | Korean | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
dc.title | 계단형 게이트 구조를 이용한 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압특성 분석 | - |
dc.title.alternative | Analysis of Current-Voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a Stair-Type Gate structure | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김태근 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.47, no.6, pp.1 - 6 | - |
dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
dc.citation.volume | 47 | - |
dc.citation.number | 6 | - |
dc.citation.startPage | 1 | - |
dc.citation.endPage | 6 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001461355 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Gallium-Nitride (GaN) | - |
dc.subject.keywordAuthor | high-electron mobility transistors (HEMTs) | - |
dc.subject.keywordAuthor | electric-field distribution | - |
dc.subject.keywordAuthor | DC characteristics | - |
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