계단형 게이트 구조를 이용한 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압특성 분석Analysis of Current-Voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a Stair-Type Gate structure
- Other Titles
- Analysis of Current-Voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a Stair-Type Gate structure
- Authors
- 김동호; 정강민; 김태근
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- Gallium-Nitride (GaN); high-electron mobility transistors (HEMTs); electric-field distribution; DC characteristics
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.47, no.6, pp.1 - 6
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 47
- Number
- 6
- Start Page
- 1
- End Page
- 6
- URI
- https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/117653
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 고출력 고이득 특성을 갖는 고전자이동도 트랜지스터 (high-electron mobility transistor, HEMT)를 구현하기 위하여 계단형 구조의 게이트 전극을 갖는 AlGaN/GaN HEMT를 제안하였고, 소자의 DC 특성의 향상 가능성을 확인하기 위하여 단일 게이트 전극을 갖는 HEMT 및 field-plate 구조의 게이트 전극을 갖는 HEMT 소자와의 특성을 비교 분석하였다. 상용 시뮬레이터를 통해 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 계단형 구조의 게이트 전극을 갖는 AlGaN/GaN HEMT는 드레인 전압의 인가 시, 소자의 내부에서 발생하는 전계가 단일 게이트 전극을 갖는 HEMT에 비해 약 70% 정도 감소하는 특성을 갖는 것을 확인하였고, 전달이득 (transconductance, ) 특성 역시 단일 게이트 전극구조의 HEMT나 field-plate 구조를 삽입한 HEMT에 비해 약 11.4% 정도 향상된 우수한 DC 특성을 갖는 것을 확인하였다.
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