r-plane 사파이어 기판 위에 성장한 무분극 a-plane GaN 층의 전기적 비등방성 연구A Study of Electrical Anisotropy of n-type a-plane GaN films grown on r-plane Sapphire Substrates
- Other Titles
- A Study of Electrical Anisotropy of n-type a-plane GaN films grown on r-plane Sapphire Substrates
- Authors
- 김재범; 김동호; 황성민; 김태근
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- nonpolar a-plane GaN; n-type GaN; Ohmic contact; transfer length method; basal stacking faults
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.47, no.8, pp.1 - 6
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 47
- Number
- 8
- Start Page
- 1
- End Page
- 6
- URI
- https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/118080
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 무분극 GaN층에서 관찰되는 성장축의 방향성에 따른 전기적 비등방성에 대한 연구를 수행하였다. 본 연구를 위해 r-plane 사파이어 기판 상에 유기화학기상증착법 (Metal-organic chemical vapor deposition)을 이용하여 600 nm 두께의 a-plane n-type GaN층을 성장시킨 후, Ti/Al/Ni/Au (20 nm/ 150 nm/ 30 nm/ 100 nm) 오믹 전극을 증착하여 transfer length method (TLM)로 접촉저항을 측정하였다. 그 결과, a-plane GaN층이 갖는 축의 방향성에 의한 접촉저항이 차이는 없는 것을 확인하였고, 면저항 측정 시에는 m-축 방향에 비해 c-축 방향에서 발생하는 면저항 값이 약 25%~75% 정도 크게 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 전기적 특성의 비등방성은 c-축 성장방향에 대해 수직방향을 갖는 기저적층결함 (basal stacking faults)의 생성으로 인한 전자들의 거동 저하에 의한 것으로 사료된다.
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