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질소 분극면을 갖는 N형 질화물반도체의 접촉저항 감소를 위한 산소 플라즈마 효과에 관한 연구Study of Oxygen Plasma Effects to Reduce the Contact Resistance of n-type GaN with Nitrogen Polarity

Other Titles
Study of Oxygen Plasma Effects to Reduce the Contact Resistance of n-type GaN with Nitrogen Polarity
Authors
남태양김태근최연식김동호이완호김수진이병규조영창
Issue Date
2010
Publisher
한국진공학회
Keywords
Vertical LED; O2 Plasma treatment; Ti / Al; Ohmic contact; 수직형 LED; N-face n-type GaN; 산소 플라즈마 처리; 질소결원
Citation
Applied Science and Convergence Technology, v.19, no.1, pp.10 - 13
Indexed
KCI
Journal Title
Applied Science and Convergence Technology
Volume
19
Number
1
Start Page
10
End Page
13
URI
https://scholar.korea.ac.kr/handle/2021.sw.korea/118407
ISSN
1225-8822
Abstract
본 논문은 N-face n-type GaN 표면에 산소 플라즈마 처리에 의해서 오믹전극과 접촉 저항을 낮추기 위한 연구를 하였다. 120초 산소 플라즈마 처리후 Ti (50 nm) / Al (35 nm)을 증착한 결과 오믹 전극을 구현하였으며, 1.25×10-3 Ω㎠의 접촉저항을 보였다. 이는 산소 플라즈마 처리가 기존의 플라즈마 처리와 같이 질소결원이 발생하였기 때문이다. 이를 통해 쇼트키 장벽 높이(SBH)이 낮아지게 되었고, 오믹 전극및 플라즈마 처리를 안 한 경우보다 더 낮은 접촉저항의 결과를 획득하였다.
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Kim, Tae geun
공과대학 (전기전자공학부)
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