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GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode
- Other Titles
- Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode
- Issue Date
- 2009
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- GaAs; In(Ga)As; 양자점 레이저 다이오드; 분자선 에피택시; Migration enhanced epitaxy; GaAs; In(Ga)As; Quantum dot laser diode; Molecular beam epitaxy; Migration enhanced epitaxy
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.18, no.4, pp.266 - 271
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 18
- Number
- 4
- Start Page
- 266
- End Page
- 271
- ISSN
- 1225-8822
- Abstract
- Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/cm2, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/cm2, 발진 파장은 1320 nm이다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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