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65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기A 145 GHz Imaging Detector Based on 65-nm RFCMOS Technology
- Other Titles
- A 145 GHz Imaging Detector Based on 65-nm RFCMOS Technology
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국전자파학회
- Keywords
- Detector; Imaging; CMOS
- Citation
- 한국전자파학회 논문지, v.24, no.11, pp.1027 - 1033
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 한국전자파학회 논문지
- Volume
- 24
- Number
- 11
- Start Page
- 1027
- End Page
- 1033
- ISSN
- 1226-3133
- Abstract
- 본 논문에서는 고주파 이미징 시스템에 사용되는 D-band 이미징 검출기(imaging detector)를 65-nm CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작한 결과를 보인다. 검출기 회로 구조는 resistive self-mixing 원리에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 145 GHz에서 400 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 100 pW/Hz1/2의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정용 패드와 밸룬을 포함하여 400 μm×450 μm이며, 중심 회로의 크기는 150 μm×100 μm이다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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Related Researcher
- Rieh, Jae Sung
- College of Engineering (School of Electrical Engineering)