0.18-μm SiGe BiCMOS 공정 기반 70/140 GHz 듀얼 밴드 전압 제어 발진기

Abstract

본 논문에서는 push-push 방식을 사용하여 설계 제작된 0.18-μm SiGe BiCMOS 공정 기반 70 GHz와 140 GHz에서 모두 동작하는 듀얼 밴드 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator: VCO)의 결과를 보인다. 측정 결과, 본 전압 제어 발진기는 조절 전압이 0.2 V에서 2 V까지 변하는 동안 하위 밴드와 상위 밴드에서 각각 67.9～76.9 GHz, 134.3～154.5 GHz의 주파수 조절 범위를 갖는다. 보정 후의 최대 출력 전력은 각각 —0.55 dBm과 —15.45 dBm이었다. 본 전압 제어 발진기는 4 V의 전원으로부터 18 mA의 DC 전류를 소모한다.