나노임프린트 리소그래피 적용을 위한 CHF₃ 플라즈마를 이용한 실리콘 몰드 표면 처리 특성

Abstract

본 연구에서는 나노 임프린트 리소그래피 공정중에서 디몰딩 공정에 적용하기 위해 ICP 장비를 이용하여 Si 표면을 CHF₃플라즈마를 이용하여 개질 하였다. Si 표면개질 전과 후의 접촉각은 80o에서 118o 로 증가되었다. 이와 같은 이유를 확인하고자 XPS 분석을 조사하였고, 그 결과 Si 표면에 CFx (x= 1,2,3) 폴리머가 형성되어 높은 접촉각이 조사 되었고, 점착 방지막을 형성할 수 있었다. 그 후 디몰딩 공정을 수행하였고, 디몰딩 공정이 증가됨에 따라 정확한 패턴 전사가 되지 않음을 SEM 사진을 통하여 확인하였다. 이와 같은 이유를 알아보고자 디몰딩 횟수 증가에 따른 접촉각 과 XPS 분석을 조사하였다. 그 결과 디몰딩 횟수의 증가로 인하여 Si 표면에 점착방지막인 CFx 폴리머가 소멸이 중요한 요소이며 디몰딩공정 중 PDMS에 의하여 국부적인 Si 표면이 오염 된 것을 확인할 수 있었다.