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마그네슘이 도핑된 GaN 공간층과 양자장벽층을 이용한 무분극 GaN 발광다이오드의 전기적/광학적 특성 향상Improvement of Electrical/optical Characteristics Using Mg-doped GaN Spacers and Quantum Barriers for Nonpolar GaN light-emitting Diodes
- Other Titles
- Improvement of Electrical/optical Characteristics Using Mg-doped GaN Spacers and Quantum Barriers for Nonpolar GaN light-emitting Diodes
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- Nonpolar; gallium-nitride(GaN); Light-emitting diodes(LEDs); spacer; quantum barrier(QB)
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.48, no.7, pp.10 - 16
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 48
- Number
- 7
- Start Page
- 10
- End Page
- 16
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 고효율·고출력 무분극 GaN LED의 구현을 위하여 Mg이 도핑된 GaN spacer층 및 GaN quantum barrier(QB)층을삽입한 구조를 제안하였다. 제안한 구조에 대한 물리적 해석을 위하여 일반적인 무분극 LED 에피구조와 본 연구에서 제안한p-GaN spacer층 및 p-GaN QB층이 삽입된 무분극 LED 에피구조에 대해 상용화된 SimuLED^(TM) 시뮬레이터를 이용하여 전기적/광학적 특성을 비교·분석하였다. 실험 결과, 본 연구에서 제안한 무분극 LED는 20 mA의 전류주입 하에서 동작전압(Vf)이 일반적인 무분극 LED에 비해 약 3.7% 감소된 3.67 V의 전기적 특성을 갖는 것을 확인하였고, 광출력은 약 7% 향상된 2.13 mW 의 광학적 특성을 갖는 구조임을 확인하였다. 또한, 내부양자효율(Internal quantum efficiency, IQE)과 광방출세기(emission peak intensity) 역시 각각 9.1% 및 170% 향상된 우수한 특성을 갖는 에피구조임을 확인하였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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