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상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성Resistive Switching Characteristics of Hafnium Oxide Thin Films Sputtered at Room Temperature
- Other Titles
- Resistive Switching Characteristics of Hafnium Oxide Thin Films Sputtered at Room Temperature
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- ReRAM; Bipolar; HfO₂ thin film
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.24, no.9, pp.710 - 712
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 24
- Number
- 9
- Start Page
- 710
- End Page
- 712
- ISSN
- 1226-7945
- Abstract
- 본 연구에서는 Al/HfO2/ITO 구조의 ReRAM 소자를 glass 기판 위에 제작하고 그에 대한 메모리 특성을 조사하였다. 저항변화층으로 쓰인 hafnium oxide 박막은 냉각 시스템을 이용한 Sputtering 방법으로 상온에서 형성하였다. Glass 기판 위에 제작된 Al/HfO₂/ITO 소자는 bipolar 저항변화 특성을 보였고 저항비는 60 이상이었으며 10,000초 이상의 retention 특성 측정에서도 낮은 저항 상태와 높은 저항상태에 대한 저항비를 거의 변화 없이 유지하였다.
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Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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Related Researcher
- Kim, Sang sig
- College of Engineering (School of Electrical Engineering)