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AlGaN/GaN HEMT의 분극 현상에 대한 3D 시뮬레이션3D Simulation on Polarization Effect in AlGaN/GaN HEMT
- Other Titles
- 3D Simulation on Polarization Effect in AlGaN/GaN HEMT
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- GaN; HEMT; Polarization
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.47, no.10, pp.23 - 28
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 47
- Number
- 10
- Start Page
- 23
- End Page
- 28
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 분극에 의한 전기적인 특성과 구조적인 특성에 대해서 분석하였다. 몰 분율, AlGaN barrier 층의 두께의 물리적인 변화에 따라서 이차원 전자가스 채널의 농도 변화가 이루어지는 것을 바탕으로 DC 특성 및 분극을 고려한 최적화된 구조에 대해서 시뮬레이션을 진행하였다. AlGaN의 몰 분율이 0.3 몰에서 0.4 몰로 증가할수록 분극에의한 bound sheet charge가 16 % 증가하며 그에 따라서 Id-Vd 특성 역시 37% 증가하게 된다. 또한 AlGaN 층의 두께가 17nm에서 38 nm로 증가할수록 Id-Vd의 특성이 증가하다가 임계두께인 39nm에 이르게 되면 AlGaN층의 relaxation에 의해서 급격하게 특성이 나빠지는 것을 알 수 있다.
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Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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Related Researcher
- Kim, Tae geun
- College of Engineering (School of Electrical Engineering)